書面審查＿謝承哲

六 預期成果

透過XRD觀察其晶相結構，希望量測出最合適的製程溫度，

並製作成靶材再濺鍍在矽基板上更進一步的去量測場發射掃描電子

顯微鏡與半導體參數分析等數據，將KNN靶材以濺鍍的方式，沉積

在Si基板上並探討晶向結構生長最佳的製程溫度。