50 Guia do Hardware.net História da informática
Finalmente, é removida a parte que restou da camada
fotosensível. Note que como temos substâncias diferentes é
possível remover uma camada de cada vez, ora o dióxido de
silício, ora a própria camada fotosensível. Com isto é possível
“desenhar” as estruturas necessárias para formar os
transístores. Temos aqui pronta a primeira camada. Cada
transístor é formado para várias camadas, dependendo do
projeto do processador. Neste
exemplo, temos um transístor
simples, de apenas quatro
camadas, mas os processa-
dores atuais utilizam um nu-
mero muito maior de cama-
das, mais de vinte em alguns
casos, dependendo da densi-
dade que o fabricante pre-
tende alcançar.Começa então a construção da
segunda camada do transís-
tor. Inicialmente o wafer passa
novamente pelo processo de
oxidação inicial, sendo coberto
por uma nova camada (desta
vez bem mais fina) de dióxido
de silício. Note que apesar da
nova camada de dióxido, o
desenho conseguido anterior-
mente é mantido.Em seguida é aplicada sobre a
estrutura uma camada de
cristal de silício. Sobre esta é
aplicada uma nova camada de
material fotosensível.Novamente, o wafer passa
pelo processo de litografia,
desta vez utilizando uma
máscara diferente.Novamente, a parte da
camada fotosensível que foi
exposta à luz é removida,
deixando expostas partes das
camadas de cristal de silício e
dióxido de silício, que são
removidas em seguida.Como na etapa anterior, o que
restou da camada fotosensível
é removida. Terminamos aconstrução da segunda
camada do transístor.Chegamos a uma das princi-
pais etapas do processo de
fabricação, que é a aplicação
das impurezas, que transfor-
marão partes do wafer de
silício num material condutor.
Estas impurezas também são
chamadas de íons. Note que os
íons aderem apenas à camada
de silício que foi exposta no
processo anterior e não nas
camadas de dióxido de silício
ou na camada de cristal de
silício.