書面審查＿謝承哲

110 學年度南臺科技大學 電子系碩士班研究計畫書 報考系所/組別:電子工程系碩士班/甲(一般)組 姓名：謝承哲 指導教授：鄭建民 中華民國 110 年 2 月 ...

目錄 一 自傳 二 研究主題 三 研究目的 四 研究背景 五 研究步驟 六 預期成果 七 參考文獻 ...

一 自傳 自小家中教育方式較為民主，家中另有一個姐姐，由於父親從事科 技相關行業，從小就對相關領域有強烈好奇心。而在求學過程中更確 立這是我有興趣的領域，但是大學期間所學習的專業課程中，讓我體 會到這些只是半導體領域的冰山一角，因此希望能進入研究所繼續鑽 ...

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二 研究主題 KNN無鉛壓電陶瓷薄膜特性之探討 本研究以KNN無鉛壓電陶瓷粉末經由不同的煆燒溫度使其進行反 應，將煆燒反應後的KNN粉末壓製成靶材，將靶材透過不同的溫度 進行燒結，待燒結完畢使用XRD觀察晶體結構及缺陷，將KNN靶 材使用射頻磁控濺鍍機將矽 ...

三 研究目的 不同製程溫度會使KNN粉末產生不同特性，因此為了測試KNN 在不同溫度所製作出的靶材是否具較佳的特性，我們嘗試將KNN粉 末分別以 800 °C、 900 °C進行煆燒反應，且壓製成塊材，分別進行燒 結(1030°C、 1050 °C、 10 ...

四 研究背景 (1) 無鉛壓電陶瓷理論 壓電陶瓷材料而言，溫度及化學成分的改變都會導致其相變， PbZrO 3 –PbTiO 3 體系陶瓷的相結構會隨著鋯鈦比的改變而變化，在 MPB 附近由於三方相和四方相共存，使晶胞的可畸變性提高，陶瓷 具有更多的可極化 ...

變，居禮溫度為435°C，隨著溫度降低，依次發生立方順電-四方鐵電 相變(435°C)，四方鐵電-正交鐵電相變(225°C)以及正交鐵電-三方鐵電 相變(-12°C)類似於反鐵電體PbZrO 3 和鐵電體PbTiO 3 固溶形成有優導 性能的PZT固溶體。 ...

KNN系陶瓷摻雜氧化物改變特性的方法以下三種：施體摻雜(N)、 受體摻雜(P)及燒結促進劑。一般+2價的Ba2+等鹼土金屬離子及+3價 Bi3+、La3+等稀土金屬離子取代KNN基陶瓷的A位的+1價離子，但 由於PZT陶瓷的MPB與KNN基陶瓷鐵電正交-鐵 ...

在Li+、Ta5+及Sb5+共同取代改變特性後，陶瓷的壓電性能獲得極大提 高。 ...

五 研究步驟 實驗流程圖 ...

六 預期成果 透過XRD觀察其晶相結構，希望量測出最合適的製程溫度， 並製作成靶材再濺鍍在矽基板上更進一步的去量測場發射掃描電子 顯微鏡與半導體參數分析等數據，將KNN靶材以濺鍍的方式，沉積 在Si基板上並探討晶向結構生長最佳的製程溫度。 ...

七 參考文獻 Y. J. Dai, X. W. Zhang, and K. P. Chen, “Morphotropic phase boundary and electrical properties of (K1- xNax)NbO 3 lead-f ...

110 學年度南臺科技大學 電子系碩士班研究計畫書 報考系所/組別:電子工程系碩士班/甲(一般)組 姓名：謝承哲 指導教授：鄭建民 中華民國 110 年 2 月 ...

目錄 一 自傳 二 研究主題 三 研究目的 四 研究背景 五 研究步驟 六 預期成果 七 參考文獻 ...

一 自傳 自小家中教育方式較為民主，家中另有一個姐姐，由於父親從事科 技相關行業，從小就對相關領域有強烈好奇心。而在求學過程中更確 立這是我有興趣的領域，但是大學期間所學習的專業課程中，讓我體 會到這些只是半導體領域的冰山一角，因此希望能進入研究所繼續鑽 ...

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二 研究主題 KNN無鉛壓電陶瓷薄膜特性之探討 本研究以KNN無鉛壓電陶瓷粉末經由不同的煆燒溫度使其進行反 應，將煆燒反應後的KNN粉末壓製成靶材，將靶材透過不同的溫度 進行燒結，待燒結完畢使用XRD觀察晶體結構及缺陷，將KNN靶 材使用射頻磁控濺鍍機將矽 ...

三 研究目的 不同製程溫度會使KNN粉末產生不同特性，因此為了測試KNN 在不同溫度所製作出的靶材是否具較佳的特性，我們嘗試將KNN粉 末分別以 800 °C、 900 °C進行煆燒反應，且壓製成塊材，分別進行燒 結(1030°C、 1050 °C、 10 ...

四 研究背景 (1) 無鉛壓電陶瓷理論 壓電陶瓷材料而言，溫度及化學成分的改變都會導致其相變， PbZrO 3 –PbTiO 3 體系陶瓷的相結構會隨著鋯鈦比的改變而變化，在 MPB 附近由於三方相和四方相共存，使晶胞的可畸變性提高，陶瓷 具有更多的可極化 ...